全球抢先的特征工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司(「华虹半导体」或「公司」，股份代号：1347.HK)今日宣告，最新推出90纳米超低漏电(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式闪存(eFlash)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)工艺途径，满意大容量微控制器(MCU)的需求。该工艺途径作为华虹半导体0.11微米超低漏电技能的接连，以更低的功耗和本钱为客户供给具有竞赛力的差异化处理计划，适用于物联网、可穿戴式设备、工业及轿车电子等方面的运用。 　　新近推出的90纳米超低漏电嵌入式闪存工艺途径1.5V中心N型和P型MOS晶体管漏电抵达0.2pA/μm，可有用延伸MCU设备的待机时间。该途径的嵌入式非易失性存储器(eNVM，Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10万至50万次擦写次数、读取速度达30ns等一起优势。一起逻辑单元库集成度高，抵达400K gate/mm2以上，可以帮忙客户多方面缩小芯片面积。